陶瓷基板覆铜 - 深圳市百柔新材料技术有限公司

陶瓷基板覆铜

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产品介绍

陶瓷基板导热系数在23-350w/m·k之间、热膨胀系数低于8ppm/k、击穿电压在6000V/m以上，其电路载板常用于高压大功率芯片的封装，如大功率LED射灯、垂直激光芯片、制冷散热片等。

本产品采用微纳米复合铜浆烧结而成，具有铜厚可调、高温强度高的特点，可靠性俱佳，可弥补125μm以下，陶瓷基覆铜板的市场空缺。蚀刻后图形分辨率达到3mil，是溅射电镀铜（DPC）的低成本替代方案。

产品优势

介电系数较小，高频特性好，可以降低信号延迟时间；

热膨胀系数更接近硅，无机基板材料热膨胀系数普遍低于有机基板材料。

耐热性能强，无机基板材料玻璃化温度普遍高于有机基板材料，在热冲击和热循环过程中不易损伤；

热导率高，可以将高集成度封装产生的热量及时排出；

机械强度高，有良好的尺寸稳定性，使元器件安装精度高；

化学稳定性强，在加工过程中能耐酸、碱、有机溶剂的浸蚀，不产生变色、溶胀等特性变化；

绝缘性能好，可靠性高；

介电系数较小，高频特性好，可以降低信号延迟时间；

热膨胀系数更接近硅，无机基板材料热膨胀系数普遍低于有机基板材料。

耐热性能强，无机基板材料玻璃化温度普遍高于有机基板材料，在热冲击和热循环过程中不易损伤；

热导率高，可以将高集成度封装产生的热量及时排出；

机械强度高，有良好的尺寸稳定性，使元器件安装精度高；

化学稳定性强，在加工过程中能耐酸、碱、有机溶剂的浸蚀，不产生变色、溶胀等特性变化；

绝缘性能好，可靠性高；

应用领域

陶瓷基板覆铜

产品特点

• 种子层铜无需溅射工艺条件，运营成本低

• 50μm以上直接蚀刻，无需长时间电镀加厚

• 高温烧结界面，铜层结合牢固，热循环老化优于DPC工艺

技术参数

型号	AO1208	AO1240	AO1275	AN1208	AN1240	AN1275
基板类型	氧化铝	氧化铝	氧化铝	氮化铝	氮化铝	氮化铝
尺寸	120X120mm	120X120mm	120X120mm	120X120mm	120X120mm	120X120mm
铜厚	8±2μm	35±5μm	70±5μm	8±2μm	35±5μm	70±5μm
方阻	4mΩ/□	0.7mΩ/□	0.3mΩ/□	4mΩ/□	0.7mΩ/□	0.3mΩ/□
表面粗糙度	<0.3μm	<0.3μm	<0.3μm	<0.3μm	<0.3μm	<0.3μm
蚀刻因子	N.A.	∽2	∽2	N.A.	∽2	∽2
剥离强度	>5N/mm	>5N/mm	>5N/mm	>5N/mm	>5N/mm	>5N/mm

型号	AO1208	AO1240	AO1275	AN1208	AN1240	AN1275
基板类型	氧化铝	氧化铝	氧化铝	氮化铝	氮化铝	氮化铝
尺寸	120X120mm	120X120mm	120X120mm	120X120mm	120X120mm	120X120mm
铜厚	8±2μm	35±5μm	70±5μm	8±2μm	35±5μm	70±5μm
方阻	4mΩ/□	0.7mΩ/□	0.3mΩ/□	4mΩ/□	0.7mΩ/□	0.3mΩ/□
表面粗糙度	<0.3μm	<0.3μm	<0.3μm	<0.3μm	<0.3μm	<0.3μm
蚀刻因子	N.A.	∽2	∽2	N.A.	∽2	∽2
剥离强度	>5N/mm	>5N/mm	>5N/mm	>5N/mm	>5N/mm	>5N/mm