产品介绍：

玻璃基板具有高结构完整性、低电损耗、抗振动、耐温性和环境耐久性等特点，在半导体封装三维堆叠的芯片结构中，玻璃转接板具有优良的电绝缘性、低廉的制造成本以及良好的工艺兼容性，但是玻璃通孔TGV进行可靠地金属填充具有很大的挑战性。采用传统溅射电镀的孔金属化方案，容易附着力不佳、填铜不饱满等诸多问题。百柔新材采用自主开发的铜浆塞孔技术可以实现玻璃基的孔金属化加工，工艺制程简单、填塞饱满、附着力好、成本极低。目前可以稳定实现25~150um玻璃通孔TGV过孔金属化，同时也与激光设备商的深度合作，利用激光诱导深度蚀刻的方法，实现高厚径比的微小玻璃通孔制造。

产品介绍：

陶瓷穿孔互连技术 (TCV，Through r通彻：连 Via)简称TCV，是一种应用于高密度三维封装的 l 新型互连技术。采用传统沉铜电镀的陶瓷基板孔金属化方案，容易出现孔内残液、附着力不佳、填铜不饱满等诸多工艺难点。采用铜浆塞孔的技术实现陶瓷基的孔金属化，工艺制程简单、填塞饱满、附着力好、成本极低。

百柔采用微纳米复合铜浆烧结而成，电阻率和可靠性俱佳。通过添加高温粘结剂和特种填料，可以进一步调整孔铜和界面的热膨胀系数，实现高可靠性的孔铜。

产品介绍：

随着芯片中晶体管的数量的增加，硅通孔封装（Through Silicon Via, TSV）的垂直堆叠在半导体器件领域突破了传统二维集成的瓶颈。通过三维集成，硅通孔TSV技术近年来得到了广泛应用 ，其中通孔填充是电阻率和电容的关键过程，但是硅通孔TSV的纵横比很高，普通电镀或溅射由于其物理和化学工艺极限，无法实现完全填充。而且通过溅射和电镀的工艺，硅基板需要经过生长SiO2层，需要通过磁控溅射在具有SiO2层的衬底上沉积由Ti和Cu组成的金属种子层然后再进行电镀，整个流程长，耗时耗电，设备投入大成本高。